ITO薄膜及其制备方法、发光二极管、发光设备和显示设备
基本信息
| 申请号 | CN202210208839.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114759125A | 公开（公告）日 | 2022-07-15 |
| 申请公布号 | CN114759125A | 申请公布日 | 2022-07-15 |
| 分类号 | H01L33/12（2010.01）I;H01L33/42（2010.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙铮;吴涛 | 申请（专利权）人 | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中细软知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种ITO薄膜及其制备方法、发光二极管、发光设备和显示设备，ITO薄膜，包括依次层叠于基底上的ITO缓冲层、ITO渐变层和ITO主体层，所述ITO缓冲层的密度最小，所述ITO主体层的密度最大，所述ITO渐变层的密度在从所述ITO缓冲层至所述ITO主体层的厚度方向上逐渐增大，本发明的ITO薄膜与基底之间以及ITO薄膜各层之间的接触电阻低。 |
