一种新型非破坏性电极引出方式的薄膜电容器及其制造方法

基本信息

申请号 CN202110736429.7 申请日 -
公开(公告)号 CN113921278A 公开(公告)日 2022-01-11
申请公布号 CN113921278A 申请公布日 2022-01-11
分类号 H01G4/33(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 熊锡浪;尹超;尹志华 申请(专利权)人 湖州新江浩电子有限公司
代理机构 湖州佳灏专利商标代理事务所(特殊普通合伙) 代理人 黄永兰
地址 313000浙江省湖州市吴兴区南太湖高新技术产业园区工业路1号科创园1幢
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种新型非破坏性电极引出方式的薄膜电容器及其制造方法,包括薄膜电容器本体,若干个薄膜电容器本体固定连接形成电容器组,电容器组上端设有纯锌层,纯锌层上端设有导电性能佳的涂层和导电铜网,导电性能佳的涂层将导电铜网与纯锌层固定连接在一起,通过喷涂技术,在电容器芯子引出电极时对芯子无破坏性,同时减少传统电极对芯子应力的影响。