薄膜光伏电池的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210298896.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102956552B | 公开（公告）日 | 2016-03-16 |
| 申请公布号 | CN102956552B | 申请公布日 | 2016-03-16 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01S5/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王伟明;胡双元;孙飞;程雪梅 | 申请（专利权）人 | 国电科技环保集团有限责任公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王伟明;国电科技环保集团股份有限公司;江苏宜兴德融科技有限公司 |
| 地址 | 214213 江苏省无锡市宜兴市经济开发区文庄路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：a)提供第一半导体衬底；b)在第一半导体衬底上形成牺牲层；c)在牺牲层上制备半导体器件的功能层；d)将半导体器件的功能层分离成具有预定阵列图案的半导体器件的功能单元；e)采用腐蚀溶液腐蚀牺牲层，实现第一衬底与功能层的剥离。根据本发明，在腐蚀牺牲层之前，先将半导体器件的功能层分离成半导体器件的功能单元的阵列，使得在腐蚀过程中，腐蚀溶液腐蚀牺牲层的腐蚀路径缩短，极大地提高了衬底的剥离速度和剥离均匀性，进而能够提高半导体器件的剥离成品率和生产效率，降低生产成本。 |
