多结太阳能电池外延结构、多结太阳能电池及其制备方法

基本信息

申请号 CN201410361406.2 申请日 -
公开(公告)号 CN105280746B 公开(公告)日 2018-04-13
申请公布号 CN105280746B 申请公布日 2018-04-13
分类号 H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/036;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 李华;吴文俊;颜建;王伟明;杨军 申请(专利权)人 国电科技环保集团有限责任公司
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 江苏宜兴德融科技有限公司
地址 214213 江苏省宜兴市经济开发区腾飞路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种多结太阳能电池外延结构,包括:GaAs衬底;在GaAs衬底上的GalnP第一子电池;在GalnP第一子电池上的GaAs第二子电池;和在GaAs第二子电池上的lnGaAs第三子电池,其中,GaAs衬底采用(001)面偏<100>方向5~20度的偏角。在具有该偏角的衬底上生长的多结电池材料,可以在获得大禁带宽度(Al)GalnP材料的同时,减小lnGaAs电池应变缓冲层的缺陷密度,从而提高倒装多结太阳能电池的整体性能。另外公开了相应的多结太阳能电池及其制备方法。