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一种用于芯片加工的低温氧化装置

基本信息

申请号 CN202121379363.2 申请日 -
公开（公告）号 CN215266250U 公开（公告）日 2021-12-21
申请公布号 CN215266250U 申请公布日 2021-12-21
分类号 H01L21/687（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01J37/32（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李璇 申请（专利权）人 苏州鼎芯光电科技有限公司
代理机构 东莞市神州众达专利商标事务所（普通合伙） 代理人 刘汉民
地址 212511江苏省苏州市吴江区黎里镇来秀路新黎路113号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种用于芯片加工的低温氧化装置，包括底座，所述底座的顶端固定安装有等离子体腔，所述等离子体腔的左端固定安装有一端贯穿并延伸至等离子体腔内部的气体管道，所述气体管道的顶端相连通有位于等离子体腔外侧的气体流量器，所述气体管道的右端相连通有位于等离子体腔内部的汽体均分器，所述等离子体腔的内腔底端固定安装有数量为四个的支撑杆，四个所述支撑杆的顶端均与安装框相固定连接，安装框的顶端呈开口设置，所述等离子体腔的右端固定安装有真空泵，所述真空泵的输出端贯穿并延伸至等离子体腔的内部，所述安装框的内腔前侧壁固定安装有电动推杆。该用于芯片加工的低温氧化装置，具备氧化均匀的优点。