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一种铽‑锗‑铋材料、制备方法及其应用

基本信息

申请号 CN201610198054.2 申请日 -
公开（公告）号 CN105861860B 公开（公告）日 2017-11-28
申请公布号 CN105861860B 申请公布日 2017-11-28
分类号 C22C1/02(2006.01)I;C22F1/02(2006.01)I;C22C28/00(2006.01)I;C09K5/14(2006.01)I 分类 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理;
发明人 姚金雷;颜长;沈娇艳 申请（专利权）人 张家港市乐余科创园投资发展有限公司
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 代理人 苏州科技学院;张家港市乐余科创园投资发展有限公司
地址 215009 江苏省苏州市苏州高新区科锐路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种铽‑锗‑铋材料、制备方法及其应用。它的化学式为Tb4Ge3‑xBix，其中，x为Bi的含量，0.2≤x≤2.9；具有反Th3P4型立方晶体结构，空间群为I‑43d。本发明提供的铽‑锗‑铋材料在235～350K的温度区间呈现较大磁熵变，具有较大的磁制冷能力,良好的热、磁可逆性质，且价格低廉，是理想的室温区磁制冷材料。