一种用于以物理气相传输沉淀法生长单晶用的单晶生长设备
基本信息
| 申请号 | CN200710119163.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101144179A | 公开（公告）日 | 2008-03-19 |
| 申请公布号 | CN101144179A | 申请公布日 | 2008-03-19 |
| 分类号 | C30B23/00(2006.01) | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 吴晟 | 申请（专利权）人 | 北京晟世星科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 吴晟;北京晟世星科技有限公司 |
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街2号楼701室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种用于物理气相传输法生长单晶用的单晶生长设备，包括管状的真空生长室，高频或中频电源、真空系统、气压控制系统，放置单晶原料粉以及被生长的原始单晶体的石墨坩埚、感应加热线圈、密封真空生长室上、下端的法兰盘，其特征在于，所述管状的真空生长室由陶瓷材料制成。由于本发明的单晶生长设备中采用了工业陶瓷制作的真空生长室，使真空生长室的机械强度高、不易碎裂，也没有石英玻璃管微晶化的问题，单晶生长设备可以可靠地在高温环境下工作，且价格低，降低了设备成本。 |
