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一种用于以物理气相传输沉淀法生长单晶用的单晶生长设备

基本信息

申请号 CN200710119163.1 申请日 -
公开（公告）号 CN101144179B 公开（公告）日 2010-08-11
申请公布号 CN101144179B 申请公布日 2010-08-11
分类号 C30B23/00(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 吴晟 申请（专利权）人 北京晟世星科技有限公司
代理机构 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 代理人 吴晟;北京晟世星科技有限公司
地址 100080 北京市海淀区中关村南三街2号楼701室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种用于物理气相传输法生长单晶用的单晶生长设备，包括管状的真空生长室，高频或中频电源、真空系统、气压控制系统，放置单晶原料粉以及被生长的原始单晶体的石墨坩埚、感应加热线圈、密封真空生长室上、下端的法兰盘，其特征在于，所述管状的真空生长室由陶瓷材料制成。由于本发明的单晶生长设备中采用了工业陶瓷制作的真空生长室，使真空生长室的机械强度高、不易碎裂，也没有石英玻璃管微晶化的问题，单晶生长设备可以可靠地在高温环境下工作，且价格低，降低了设备成本。