一种制备一氧化硅的方法

基本信息

申请号 CN202111035309.0 申请日 -
公开(公告)号 CN113501527A 公开(公告)日 2021-10-15
申请公布号 CN113501527A 申请公布日 2021-10-15
分类号 C01B33/18 分类 无机化学;
发明人 贺翔;李阁;许迪新;程晓彦;岳风树 申请(专利权)人 山西富佶新能源材料科技有限公司
代理机构 北京中知星原知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 艾变开
地址 100190 北京市海淀区中关村东路66号2号楼5层0604
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种制备一氧化硅的方法,包括以下步骤:S100:将制备一氧化硅的原料粉末混合均匀后,放在真空蒸镀炉的蒸发源内部的坩埚中;S200:所述蒸发源的开口端与收集器的进气端通过产品通道密闭连接,所述开口端与进气端之间的距离为5‑15cm;S300:所述蒸发源和收集器安装在真空蒸镀室的内部,对真空蒸镀室进行抽真空操作,使得真空蒸镀室的真空度小于10Pa;S400:加热蒸发源到1100‑1500℃,使得所述原料粉末反应生产一氧化硅气体,加热收集器到500‑1000℃,接收一氧化硅气体,一氧化硅气体在收集器内部沉积;S500:反应和蒸发结束后,冷却蒸发源和收集器,得到一氧化硅粉末。