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一种复合膜层台面保护结构及其膜层生产工艺

基本信息

申请号 CN202010579391.2 申请日 -
公开（公告）号 CN111710654A 公开（公告）日 2020-09-25
申请公布号 CN111710654A 申请公布日 2020-09-25
分类号 H01L23/29(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 耿开远 申请（专利权）人 济宁东方芯电子科技有限公司
代理机构 青岛发思特专利商标代理有限公司 代理人 济宁东方芯电子科技有限公司
地址 272100山东省济宁市兖州区兖颜路路北天齐庙村村西
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种复合膜层台面保护结构及其膜层生产工艺，属于半导体器件技术领域，包括半导体器件台面，半导体器件台面上设有沟槽，其特征在于：所述的沟槽的外部依次设有sipos层I、掺磷二氧化硅层、掺氯二氧化硅层和sipos层II，所述沟槽的下方设有PN结,能够实现可控硅PN结的保护。在中间沉积一层吸杂能力强的掺磷二氧化硅层和固定杂质能力强的掺氯二氧化硅，使得在其工作点附近掺磷二氧化硅层和掺氯二氧化硅起到有效降低漏电流的作用，既保证高耐压和高温度特性，又兼顾了漏电流问题。使用此方法的漏电流可以降低到常规方法的约一半左右。解决了现有技术中出现的问题。