一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构及方法
基本信息
| 申请号 | CN202010579367.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111933684A | 公开（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申请公布号 | CN111933684A | 申请公布日 | 2020-11-13 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 耿开远 | 申请（专利权）人 | 济宁东方芯电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 青岛发思特专利商标代理有限公司 | 代理人 | 济宁东方芯电子科技有限公司 |
| 地址 | 272100山东省济宁市兖州区兖颜路路北天齐庙村村西 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构及方法，属于半导体器件技术领域，包括短基区、高阻区、阴极区和台面槽，台面槽的上方设有玻璃钝化层，短基区的外侧设有背面开槽区，背面开槽区内设有镓层，通过背面开槽以及槽内扩镓形成隔离墙，隔离墙和短基区同质，隔离墙和短基区同步形成，镓层扩散浓度和深度相同，使用镓作为导电介质，通过背面开槽加槽内扩镓形成隔离墙，扩散温度低，时间短，避免了常规的深结长时间高温扩散大大减少了工步，解决了现有技术中出现的问题。 |
