一种穿通结构可控硅芯片的生产方法
基本信息
| 申请号 | CN202010473439.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111816553A | 公开（公告）日 | 2020-10-23 |
| 申请公布号 | CN111816553A | 申请公布日 | 2020-10-23 |
| 分类号 | H01L21/228(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 耿开远 | 申请（专利权）人 | 济宁东方芯电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 青岛发思特专利商标代理有限公司 | 代理人 | 济宁东方芯电子科技有限公司 |
| 地址 | 272100山东省济宁市兖州区兖颜路路北天齐庙村村西 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体芯片技术领域，具体涉及一种穿通结构可控硅芯片的生产方法，包括如下步骤：(1)将硅片氧化处理；(2)将硅片进行光刻，腐蚀成线条，形成穿通环；(3)穿通环的硅片置于化学腐蚀液中腐蚀出沟槽；(4)利用自动涂源台涂布；(5)将涂有硼铝源的硅片置于高温扩散炉中进行硼铝扩散。本发明扩散工艺采用的为硼铝源，硼铝源主杂质是铝，铝扩散速度快，扩散温度要求低。本发明形成穿通结构的可控硅片，整个工艺时间16‑20小时高温扩散，且最高温度比常规最高温度低，时间不到原来的1/10，提高了所制得芯片少子寿命。 |
