一种改善可控硅KG特性的方法
基本信息
| 申请号 | CN202010473440.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111816552A | 公开（公告）日 | 2020-10-23 |
| 申请公布号 | CN111816552A | 申请公布日 | 2020-10-23 |
| 分类号 | H01L21/223;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 耿开远 | 申请（专利权）人 | 济宁东方芯电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 青岛发思特专利商标代理有限公司 | 代理人 | 卢登涛 |
| 地址 | 272100 山东省济宁市兖州区兖颜路路北天齐庙村村西 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种改善可控硅KG特性的方法，包括如下步骤：将硅片装于合金舟上用石英钩缓慢将合金舟推入炉管内恒温区，通入氮气和三氯氧磷，保温处理后将合金舟拉出即可。本发明在可控硅铝合金时表面掺入微量的磷，特别是KG交界处氧化层表面磷的掺入，可以有效固定表面杂质和电荷，使得KG特性得到大大改善，避免了漏电和反型现象。 |
