一种硅片的刻蚀装置
基本信息
| 申请号 | CN202121293552.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214672537U | 公开（公告）日 | 2021-11-09 |
| 申请公布号 | CN214672537U | 申请公布日 | 2021-11-09 |
| 分类号 | H01L21/67（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 龚雪玲;陈宇 | 申请（专利权）人 | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京源点知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘云峰 |
| 地址 | 225000江苏省扬州市鸿大路29号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种硅片的刻蚀装置，包括：片架、驱动组件、容器、加热件，驱动组件与片架连接并用于驱动片架沿竖向往复运动，容器开设有腐蚀槽，腐蚀槽位于片架的正下方，加热件位于容器的一侧或设置于容器中，加热件用于对加入腐蚀槽中的腐蚀液进行加热。通过驱动机构驱动片架带动硅片在腐蚀液中做往复运动，从而提高腐蚀液相对于硅片的流动速度，从而提高腐蚀液的腐蚀效果。 |
