一种用于铜/钼（铌）/IGZO膜层的刻蚀液及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202010652548.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111809182A | 公开（公告）日 | 2020-10-23 |
| 申请公布号 | CN111809182A | 申请公布日 | 2020-10-23 |
| 分类号 | C23F1/18(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 徐帅;张红伟;李闯;胡天齐;钱铁民 | 申请（专利权）人 | 江苏和达电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 江苏和达电子科技有限公司;四川和晟达电子科技有限公司 |
| 地址 | 212212江苏省镇江市新坝镇扬中长江大桥东侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种用于铜/钼(铌)/IGZO膜层的刻蚀液及其制备方法和应用，所述蚀刻液包括主剂和添加剂，所述主剂和添加剂中金属缓蚀剂均为氨基咔唑类金属缓蚀剂。本发明的刻蚀液能够实现对金属源漏电极和半导体层IGZO膜层的同步刻蚀，可降低光罩使用数量、简化IGZO‑TFT制造工艺流程、提高企业生产效率、降低生产成本、确保产品品质，同时该蚀刻液的铜离子负载可达8000ppm，使用寿命更高。 |
