生长高铝组分氮基化合物半导体的气体分配装置及其生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201280001823.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104603328B | 公开（公告）日 | 2018-01-23 |
| 申请公布号 | CN104603328B | 申请公布日 | 2018-01-23 |
| 分类号 | C23C16/455;C30B25/14;H01L21/205;H01L21/20;C30B25/02;C30B29/38;C23C16/18;C23C16/34;C23C16/52 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 黄占超;何川;马悦;丁兴燮;宋涛;萨尔瓦多;胡兵;奚明 | 申请（专利权）人 | 理想能源设备（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 理想能源设备（上海）有限公司;理想晶延半导体设备（上海）有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江居里路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种用于生长高铝组分氮基化合物半导体的气体分配装置包括入口端、第一气体分配装置、第二气体分配装置、第三气体分配装置、出口端和冷却系统。所述第一气体分配装置由所述冷却系统加以冷却，通过所述的气体分配装置，可以在出口端形成非均匀的气体环境，减少不同种类气体之间的混合，从而减少不同气体之间的预反应。同时，本发明还揭示了一种高铝组分氮基化合物半导体的生长方法。 |
