一种生长石墨烯薄膜的装置及其生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201410196056.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105088335B | 公开（公告）日 | 2018-01-05 |
| 申请公布号 | CN105088335B | 申请公布日 | 2018-01-05 |
| 分类号 | C30B25/08(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 奚明;胡兵;吴红星;吴堃;于广辉;张燕辉;陈志蓥;徐伟;张浩然 | 申请（专利权）人 | 理想能源设备（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 | 代理人 | 理想能源设备（上海）有限公司;上海微系统与信息技术研究所;理想晶延半导体设备（上海）有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江居里路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种在柔性衬底上生长石墨烯薄膜的装置，该装置包括：内腔，该内腔分为预处理仓、上反应仓和中反应仓，所述预处理仓、上反应仓和中反应仓分设有进气口和出气口且依次排列；金属衬底，一般为铜膜或铜镍合金膜，延伸于内腔，金属衬底两侧的细缝连通预处理仓、上反应仓和中反应仓；加热器，位于立式内腔外侧，用于加热金属衬底；反射板，位于加热器外周侧，用于将热量向立式内腔方向反射。进一步地，所述内腔和外腔均为立式结构，并且金属衬底垂直延伸于内腔中，并可由预处理仓向上反应仓、中反应仓的方向匀速移动。利用本发明的装置和方法能够量产出高品质、大尺寸的石墨烯薄膜。 |
