一种用于制备AMOLED的PECVD装置
基本信息
| 申请号 | CN201410062827.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104862666B | 公开（公告）日 | 2018-03-27 |
| 申请公布号 | CN104862666B | 申请公布日 | 2018-03-27 |
| 分类号 | C23C16/44 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 杨飞云;谭晓华;陈金元;徐升东;李朋;李一成;刘传生 | 申请（专利权）人 | 理想能源设备（上海）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201203 上海市松江区思贤路3255号3幢403室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种用于制备AMOLED的PECVD装置，通过真空环境的外腔和进行等离子体增强型化学气相沉积反应的内腔相互结合、对基板进行400‑450℃的局部直接高温加热、采用间隔部件以及在腔体顶壁和底壁分别设置冷却机构等一系列技术手段实现了采用低温PECVD反应腔进行高温AMOLED工艺的技术效果，解决了传统方式中以铝作为反应腔腔体材料而面临的400‑450℃高温环境下材料强度、刚度变差以及严重的热形变问题。 |
