化学气相沉积装置

基本信息

申请号 CN201210396302.6 申请日 -
公开(公告)号 CN103774115B 公开(公告)日 2017-12-29
申请公布号 CN103774115B 申请公布日 2017-12-29
分类号 C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 宋涛;萨尔瓦多;奚明;马悦;黄占超;刘强 申请(专利权)人 理想能源设备(上海)有限公司
代理机构 北京润泽恒知识产权代理有限公司 代理人 理想能源设备(上海)有限公司;理想晶延半导体设备(上海)有限公司;理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科园区居里路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种化学气相沉积装置。所述化学气相沉积装置包括反应腔、位于反应腔顶部的喷淋组件以及与所述喷淋组件相对设置的基座,所述基座可以相对所述喷淋组件旋转,所述喷淋组件包括第一进气管路以及第二进气管路,用于分别将第一气体以及第二气体传输到气体分配板,所述气体分配板具有面向所述基座的排气面,所述排气面具有若干凹槽,用以收容气体并安装板部件,所述板部件具有若干出气孔,所述出气孔排列成若干列,所述若干列中至少有两列的出气孔排列位置部分错开,所述出气孔用以排出所述第一气体或第二气体中的一种或多种。本发明的化学气相沉积装置结构简单,制造成本较低,且易于拆分清洁。