一种化学气相沉积装置及其温控方法

基本信息

申请号 CN201410668535.6 申请日 -
公开(公告)号 CN105648425B 公开(公告)日 2018-06-26
申请公布号 CN105648425B 申请公布日 2018-06-26
分类号 C23C16/52;C23C16/455;C23C16/46 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 宋涛;萨尔瓦多;刘强;马悦;黄占超;奚明 申请(专利权)人 理想能源设备(上海)有限公司
代理机构 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 理想能源设备(上海)有限公司;理想晶延半导体设备(上海)有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江居里路1号
法律状态 -

摘要

摘要 一种化学气相沉积装置,包括:反应腔;设置于所述反应腔底部的基座,用于支撑一个或多个待处理基片;用于加热所述基座与基片的加热单元;设置于所述反应腔顶部的气体喷淋组件,包括第一进气装置和第二进气装置,所述气体喷淋组件与所述基座之间形成反应区;设置于气体喷淋组件上用于封闭反应腔并包含冷却装置的盖体;所述盖体和所述气体喷淋组件之间形成有狭缝;第一温度测量装置,用于测量气体喷淋组件温度;温控供气装置,用于对A与B两种气体进行配比并根据测量的气体喷淋组件温度供应配比后的气体至所述狭缝。本发明通过调节气体喷淋组件与反应腔体冷却部件间的气体比例,实现气体喷淋组件温度的精确控制。