一种PECVD气体喷淋头、成膜腔室及工作方法
基本信息
| 申请号 | CN201410689376.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105695958B | 公开（公告）日 | 2018-12-07 |
| 申请公布号 | CN105695958B | 申请公布日 | 2018-12-07 |
| 分类号 | C23C16/511;C23C16/513;C23C16/517 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 马哲国;陈金元;王慧慧;杨飞云;谭晓华 | 申请（专利权）人 | 理想能源设备（上海）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201620 上海市松江区思贤路3255号3幢403室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供的PECVD气体喷淋头，包括顶部、底部及位于所述顶部和底部之间的侧壁，所述顶部和底部之间构成气体均匀分布腔，所述顶部包括：中心设置有工艺气体、射频电源信号及RPS等离子体通道的顶壁和位于所述顶壁下方的工艺气体均匀分布层，所述工艺气体通道与所述工艺气体均匀分布层相连并在其中进行第一次气体均匀，然后再进入所述气体均匀分布腔内进行第二次气体均匀，所述射频电源信号直接馈入至所述顶壁内，所述RPS等离子体通道直接与所述气体均匀分布腔相连。本发明能够改善大面积基板的膜厚均一性且提高产能。 |
