表面包覆γ羟基氧化钴的氢氧化镍的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200710035313.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN100448074C | 公开（公告）日 | 2008-12-31 |
| 申请公布号 | CN100448074C | 申请公布日 | 2008-12-31 |
| 分类号 | H01M4/52(2006.01);H01M4/26(2006.01);B22F1/02(2006.01);C01G53/04(2006.01);C01G51/02(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周勤俭;覃事彪;张海艳;胡泽星;袁庆文 | 申请（专利权）人 | 金天能源材料有限公司 |
| 代理机构 | 湖南兆弘专利事务所 | 代理人 | 金天能源材料有限公司 |
| 地址 | 411132湖南省湘潭市竹埠港高新区新材料工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种用作镍氢蓄电池正极材料的表面包覆γ羟基氧化钴的氢氧化镍制备方法，其制备方法为：先在球形氢氧化镍的表面上包覆一层氢氧化钴，然后再在高浓度氢氧化钠及氧气条件下将表面包覆的氢氧化钴层氧化成γ羟基氧化钴，或再对γ羟基氧化钴层进行嵌入掺杂金属的处理。本方法主要通过控制包覆层呈现形貌结构为片状的氢氧化钴，使最终制备出的γ羟基氧化钴包覆层的导电网络更均匀、更完整、电导性更好，从而使表面包覆γ羟基氧化钴的氢氧化镍正极活性材料具有过放电容量恢复率高、大电流放电性能好、自放电低、循环使用寿命好等特性。 |
