铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚及其制备方法
基本信息
申请号 | CN201910895729.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112536200A | 公开(公告)日 | 2021-03-23 |
申请公布号 | CN112536200A | 申请公布日 | 2021-03-23 |
分类号 | C30B29/06(2006.01)I;B05D1/28(2006.01)I;B05D7/24(2006.01)I;B05D7/00(2006.01)I;B05D1/02(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I | 分类 | 一般喷射或雾化;对表面涂覆液体或其他流体的一般方法〔2〕; |
发明人 | 李良良;钟德京;黄蓉帅;黄福龙;周华 | 申请(专利权)人 | 江西中材新材料有限公司 |
代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郝传鑫;熊永强 |
地址 | 222000江苏省连云港市东海县开发区西区麒麟大道26号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚的制备方法,包括提供坩埚本体,坩埚本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁;将氮化硅、硅溶胶和水混合形成第一混合液,将第一混合液滚涂在侧壁的内表面,形成第一氮化硅层,第一氮化硅层的表面粗糙度Ra小于20μm;将石英砂与水混合经研磨形成石英浆料,石英浆料与硅溶胶和水混合形成混合浆料,将混合浆料喷涂在第一氮化硅层上,形成石英层,石英层完全覆盖第一氮化硅层,石英层的表面粗糙度Ra为40μm‑60μm;将氮化硅、硅溶胶和水混合形成第二混合液,将第二混合液喷涂在石英层上,形成第二氮化硅层,第二氮化硅层表面粗糙度Ra为60μm‑80μm,得到铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚。 |
