一种碳化硅mosfet散热结构
基本信息
| 申请号 | CN202122209423.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215988732U | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN215988732U | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | H01L23/40（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张建;张前;苏显;张敏 | 申请（专利权）人 | 天津市云驱科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京华专卓海知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 高成树 |
| 地址 | 300308天津市滨海新区华苑产业区（环外）海泰华科一路3号3号厂房2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种碳化硅mosfet散热结构，包括：主体、固定槽、卡块；所述固定槽位于主体外侧的下方，且固定槽与主体为一体式结构；所述卡块呈前后对称排列的方式分别位于固定槽的前后两侧，且卡块与固定槽为一体式结构；所述固定架的上方设置在固定槽的内部，且固定架与固定槽通过卡块相连接；所述底板设置在固定架的下侧，且底板与固定架通过焊接方式相连接；所述散热槽位于底板的下侧，且散热槽与底板为一体式结构；所述安装槽位于底板上侧的中间，且安装槽与底板为一体式结构。通过在结构上的改进，具有有效散热和固定牢固的优点，从而有效的解决了现有装置中出现的问题和不足。 |
