一种基于PD SOI的二极管辅助触发ESD保护电路
基本信息
| 申请号 | CN201310109113.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103178058B | 公开（公告）日 | 2015-09-02 |
| 申请公布号 | CN103178058B | 申请公布日 | 2015-09-02 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王忠芳;刘存生;蒋轶虎;高利军;杨博;周凤 | 申请（专利权）人 | 中国航天科技集团有限公司 |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 汪人和 |
| 地址 | 710054 陕西省西安市太乙路189号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于PD?SOI的二极管辅助触发ESD保护电路，在该结构中，栅极采用条形栅结构，漏区和源区采用漏深源浅非对称结构，在漏端一侧，除了进行深N+注入外，还在漏端边侧和中间进行P+注入，以形成P+N+二极管；在源端，同样采取N+和P+间隔注入的方式，但源端的P+注入不应太宽，且应该和漏端相对应的N+的中间位置对齐。源端的N+和P+无需通过SAB层覆盖，在进行硅化物工艺时可以短接在一起以形成体接触。该结构具有可调开启电压、抗辐照能力强、导通均匀性好和消除边缘漏电等优点，可以有效地应用于输入PAD、输出PAD以及电源和地之间的ESD保护。 |
