一种高精度外延膜厚监控片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510260171.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104900494A | 公开（公告）日 | 2015-09-09 |
| 申请公布号 | CN104900494A | 申请公布日 | 2015-09-09 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 折宇;汪小军;吴迪;黄鹤 | 申请（专利权）人 | 中国航天科技集团有限公司 |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 徐文权 |
| 地址 | 710068 陕西省西安市太白南路198号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高精度外延膜厚监控片及其制备方法，对使用过的晶圆片的表面进行处理，使其表面呈现裸硅状态；清洗；对清洗过的轻掺杂晶圆片进行处理使其生长氧化层；进行N型或P型杂质注入；进行高温处理；进行表面处理，使其表面呈现裸硅状态；进行清洗，即得到外延膜厚监控片。本发明制备的膜厚监控片的表面掺杂浓度均匀性远远优于CZ法制作的重掺杂衬底片，增加了试炉膜厚结果的准确性，使监控结果能够真实反应机台工艺状态，最大程度降低由于监控片监控结果的不准确造成的物料损失，产能降低及产品工艺参数超标。 |
