一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法
基本信息
| 申请号 | CN201510259857.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104979171B | 公开（公告）日 | 2018-01-16 |
| 申请公布号 | CN104979171B | 申请公布日 | 2018-01-16 |
| 分类号 | H01L21/266 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李宁;付鹏;张思申;利阳;汪小军 | 申请（专利权）人 | 中国航天科技集团有限公司 |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 徐文权 |
| 地址 | 710068 陕西省西安市太白南路198号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法，包括以下步骤：首先对硅片表面进行处理，使硅片表面生长氧化层；然后硅片上涂覆光刻胶；接着对硅片进行离子注入；最后去除硅片表面的光刻胶。本发明通过对硅片表面进行处理，可在硅片表面生长超薄氧化层，避免硅片在去胶过程中生成上述硅棱，从而避免硅剥落问题，减少表面缺陷并提高产品成品率。 |
