一种高精度外延膜厚监控片及其制备方法
基本信息
申请号 | CN201510260171.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN104900494B | 公开(公告)日 | 2017-07-07 |
申请公布号 | CN104900494B | 申请公布日 | 2017-07-07 |
分类号 | H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 折宇;汪小军;吴迪;黄鹤 | 申请(专利权)人 | 中国航天科技集团有限公司 |
代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 徐文权 |
地址 | 710068 陕西省西安市太白南路198号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种高精度外延膜厚监控片及其制备方法,对使用过的晶圆片的表面进行处理,使其表面呈现裸硅状态;清洗;对清洗过的轻掺杂晶圆片进行处理使其生长氧化层;进行N型或P型杂质注入;进行高温处理;进行表面处理,使其表面呈现裸硅状态;进行清洗,即得到外延膜厚监控片。本发明制备的膜厚监控片的表面掺杂浓度均匀性远远优于CZ法制作的重掺杂衬底片,增加了试炉膜厚结果的准确性,使监控结果能够真实反应机台工艺状态,最大程度降低由于监控片监控结果的不准确造成的物料损失,产能降低及产品工艺参数超标。 |