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一种基于PD SOI工艺的体栅耦合ESD保护结构

基本信息

申请号	CN201210150748.0	申请日	-
公开（公告）号	CN102655149B	公开（公告）日	2015-01-07
申请公布号	CN102655149B	申请公布日	2015-01-07
分类号	H01L27/02(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	王忠芳;谢成民;李海松;赵德益;吴龙胜;刘佑宝	申请（专利权）人	中国航天科技集团有限公司
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	徐文权
地址	710054 陕西省西安市太乙路189号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种基于PD?SOI工艺的体栅耦合NMOS?ESD保护结构，在该结构中栅极采用H型结构，在H型栅的边栅外侧和内侧进行两处体区P+注入，漏区采用N+深注入，将SOI基片上的硅膜穿通，源区采用N+浅注入，对SOI基片上的硅膜进行部分注入，以便在源区外侧进行体区P+注入并将体区接触引出，部分漏区利用SAB层对硅化物进行阻挡，形成镇流电阻。使用时，将漏区连接到PAD，H型栅的边栅外侧的体区和栅极进行连接，源区和H型栅内侧的体区连接到地。本发明通过将H型栅的边栅外侧的体区和栅极进行连接，能够充分利用漏体的寄生电容和源区下的体区寄生电阻组成耦合电路，在栅极耦合一定的电压，降低该ESD保护结构的开启电压，保证多个该结构的均匀导通，提高ESD保护能力。