一种ALD反应器
基本信息
| 申请号 | CN202022898949.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214458308U | 公开（公告）日 | 2021-10-22 |
| 申请公布号 | CN214458308U | 申请公布日 | 2021-10-22 |
| 分类号 | C23C16/455;C23C16/52;B82Y30/00;B82Y40/00 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 万军;廖海涛;王斌;王辉 | 申请（专利权）人 | 无锡市邑晶半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京众达德权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘杰 |
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新吴区观山路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种ALD反应器。该反应器包括真空腔室以及反应腔室，反应腔室内置于真空腔室内，反应腔室顶部敞口，反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道，进气通道和出气通道以反应腔室的底部的第一方向的中心线相对设置，封盖可操作地将反应腔室顶部密封。本实用新型保证沉积膜的成型质量和一致性，成膜效率高，周期短，提高前驱体源的利用率，适合批量性生产，具有很好的实用价值。 |
