镀膜方法、晶圆膜层及薄膜设备
基本信息
| 申请号 | CN202110869350.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113584463A | 公开（公告）日 | 2021-11-02 |
| 申请公布号 | CN113584463A | 申请公布日 | 2021-11-02 |
| 分类号 | C23C16/52（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 万军;王辉 | 申请（专利权）人 | 无锡市邑晶半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京众达德权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张晓冬 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市新吴区观山路1号（超骏大厦）第4层819室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种镀膜方法、晶圆膜层及薄膜设备，属于微型发光二极管领域；本申请实施例提供的一种镀膜方法、晶圆膜层及薄膜设备，对微型发光二极管芯片依次进行原子沉积和化学沉积，相对于直接采用化学沉积可以提升微型发光二极管芯片的均匀性，相对于全部采用原子沉积可以提升镀膜效率，可以有效地提升微型发光二极管出光的效率及器件的可靠度，也能使之后气相沉积的膜层更致密。 |
