一种ALD加热组件
基本信息
| 申请号 | CN202022900008.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214694358U | 公开（公告）日 | 2021-11-12 |
| 申请公布号 | CN214694358U | 申请公布日 | 2021-11-12 |
| 分类号 | C23C16/455（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 万军;廖海涛;王斌;王辉 | 申请（专利权）人 | 无锡市邑晶半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京众达德权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘杰 |
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新吴区观山路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种ALD加热组件。该加热组件适用于对反应器的加热，该加热组件包括第一加热器、第二加热器以及第三加热器，第一加热器设置在封盖的顶部上，第一加热器的输出端作用在封盖上，第二加热器设置在反应腔室的外侧壁和真空腔室的内侧壁之间，第二加热器的输出端作用在反应腔室的侧壁上，第三加热器设置在反应腔室的底部和真空腔室的底部之间，第三加热器作用在反应腔室的底部上。本实用新型可实现反应腔室的顶部、侧部及底部三个区域独立辐射加热和控温，在大空间内形成均匀温度场，以使前驱体源的加热温度快速升温至需求温度，加热效率高，加热均匀，提高沉积膜的成型质量和一致性，适合批量性生产。 |
