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一种用于太阳能电池硅片背面抛光的刻蚀槽

基本信息

申请号 CN202120028722.3 申请日 -
公开（公告）号 CN214099593U 公开（公告）日 2021-08-31
申请公布号 CN214099593U 申请公布日 2021-08-31
分类号 H01L21/67（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 王泉龙;李琪;孙珠珠;周国栋 申请（专利权）人 徐州中辉光伏科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 220000江苏省徐州市沛县经济开发区昆明路南侧
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种用于太阳能电池硅片背面抛光的刻蚀槽，属于太阳能电池片生产技术领域，一种用于太阳能电池硅片背面抛光的刻蚀槽，包括刻蚀槽，刻蚀槽的内侧壁水平设有多根输送辊，且多根输送辊水平平行排布，多根输送辊由带轮驱动机构驱动构成用于输送太阳能电池硅片的输送系统，输送辊上放置有多个待刻蚀太阳能电池硅片，输送辊上套接有两个限位轮，可以实现同时对太阳能电池硅片的背面和两侧侧壁进行刻蚀，提高刻蚀效率，有效避免刻蚀液的浪费，可以在刻蚀时对太阳能电池硅片进行有效定位，避免太阳能电池硅片偏移影响刻蚀，同时可以满足不同大小的太阳能电池硅片刻蚀使用，适应性和实用性强。