一种新型倒装芯片及其制作与封装方法
基本信息
| 申请号 | CN201510079764.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104638085A | 公开（公告）日 | 2015-05-20 |
| 申请公布号 | CN104638085A | 申请公布日 | 2015-05-20 |
| 分类号 | H01L33/38(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高凯;颜海灿 | 申请（专利权）人 | 常州乐迪电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 华辉 |
| 地址 | 213000 江苏省常州市天宁区青洋北路143号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种新型倒装芯片及其制作与封装方法，该倒装芯片包括透明衬底，在透明衬底上表面依次层叠有N型外延层、载流子复合层及P型外延层，所述N型外延层与P型外延层均为掺杂的氮化镓外延层。所述N型外延层下表面与所述透明衬底上表面面积相等，且所述载流子复合层上表面与所述P型外延层下表面面积相等且小于N型外延层下表面面积；所述N型外延层一端的上表面依次层叠设有N-GaN电极和第一锡球，所述P型外延层远离N-GaN电极的一端的上表面依次层叠设有P-GaN电极和第二锡球；所述N-GaN电极和P-GaN电极的间距约为300μm。该倒装芯片结构简单、成本较低且出光效率高，可实现全周角发光。 |
