一种PVD法制备V型掺杂铜铟镓硒吸收层的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910540528.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110257770B | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN110257770B | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | C23C14/06（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;H01L31/032（2006.01）I;H01L31/0392（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 邹臻峰;成志华;陈少逸;劳宏彬;吴建邦;黄宏利;陈方才 | 申请（专利权）人 | 铜仁梵能移动能源有限公司 |
| 代理机构 | 贵阳易博皓专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张浩宇 |
| 地址 | 554111 贵州省铜仁市高新技术产业开发区电商园A-2栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种PVD法制备V型掺杂铜铟镓硒吸收层的方法，包括如下步骤：S1：以不锈钢柔性材料为衬底，采用PVD溅射法在衬底的表面沉积第一层铜铟镓薄膜，同时进行低温硒化处理，形成第一层铜铟镓硒薄膜层；S2：采用PVD溅射法在第一层铜铟镓硒薄膜上沉积第二层铜铟镓薄膜，同时在高温下进行硒化处理，形成第二层铜铟镓硒薄膜吸收层；S3：采用PVD溅射法在第二层铜铟镓硒薄膜上沉积第三层铜铟镓薄膜，同时进行低温热退火处理和硒化处理，形成第三层铜铟镓硒薄膜界面层。通过控制镓的掺杂含量，实现了V型双梯度能带分布。工艺流程简单，可控性和稳定性程度高，实现工艺优化后的CIGS电池转换效率提升1.0％以上。 |
