一种具有极低泄露电流的带隙基准启动电路
基本信息
| 申请号 | CN201610003613.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105511540A | 公开（公告）日 | 2016-04-20 |
| 申请公布号 | CN105511540A | 申请公布日 | 2016-04-20 |
| 分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 吴建辉;孙杰;傅娟;李红 | 申请（专利权）人 | 江苏东南大学资产经营有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 东南大学;江苏东南大学资产经营有限公司;南京集成电路设计服务产业创新中心有限公司 |
| 地址 | 211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有极低泄露电流的带隙基准启动电路，包括高长宽比PMOS管、电流镜和NMOS开关，将高长宽比PMOS管作为电阻使用，NMOS开关与带隙基准核心电路的输入端相连，电流镜与带隙基准核心电路的输出端相连。本发明采用NMOS开关，开启速度比PMOS开关快；带隙基准电路正常工作后，NMOS开关关断，NMOS的栅源电压为负电压，从而关断效果更明显，在任何工艺角和温度下泄漏电流都在皮安级别以下，对基准源电流失配影响可以忽略，启动电路中的其它支路仍处于导通状态，但此时启动电路静态电流很小；用PMOS管电阻代替常规无源电阻，节省芯片面积。 |
