一种高纯高密度特点的碳化硼溅射靶材的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111312943.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114014670A | 公开（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申请公布号 | CN114014670A | 申请公布日 | 2022-02-08 |
| 分类号 | C04B35/583（2006.01）I;C04B35/626（2006.01）I;C04B35/645（2006.01）I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 姜思源;刘兆毅 | 申请（专利权）人 | 大连正兴磨料有限公司 |
| 代理机构 | 辽宁鸿文知识产权代理有限公司 | 代理人 | 苗青 |
| 地址 | 116102辽宁省大连市保税区工业新区振工街10号-1、10号-2 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供的一种高纯高密度特点的碳化硼溅射靶材的制备方法，应用于航空航天、国防军工和核能利用等高科技领域。本发明通过优化原材料粉的制备方法，在保持高纯度的前提下将粉的粒度降低到D0值≤0.5μm，使得在不添加任何烧结助剂的情况下，所需的烧结压力降低，得到的陶瓷性能稳定、均匀。本发明通过采用石墨碳纤维复合模具和石墨模具配合使用的方法，提高模具耐压强度，使制备出的单件碳化硼溅射靶材纯度≥99.99％，密度超过理论密度的99.9％。使用本方法制备的碳化硼陶瓷同时具备低密度、高硬度、高抗弯强度和高断裂韧性的特点，可应用于溅射靶材有极特殊要求的领域。 |
