一种多孔结构铜纳米线阵列的制备方法及其薄膜电导率的测试方法
基本信息
| 申请号 | CN201310361520.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103510048B | 公开（公告）日 | 2017-03-08 |
| 申请公布号 | CN103510048B | 申请公布日 | 2017-03-08 |
| 分类号 | C23C14/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;G01R27/02(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 邓元;曹丽莉;谭明;祝薇;叶慧红;崔长伟 | 申请（专利权）人 | 杭州知创新材料技术有限公司 |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 | 代理人 | 黄嘉栋 |
| 地址 | 310051 浙江省杭州市滨江区长河街道江虹路768号1号楼第1204室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种铜纳米线阵列的常温制备方法，它是在磁控溅射仪中，将铜靶材放入磁控溅射仪的真空室中的直流台上；把基板放置于样品台2上；调节样品台2与直流台1的距离至50‑90mm；对真空室抽真空，从而使真空室内的真空度达到2.0×10‑4‑4.0×10‑4Pa；在室温条件下，向真空室中充入氩气，并将氩气压强调节至1.0‑2.0Pa；施加直流电压于紧接靶材的阴极和紧接基板后的阳极间（即直流电压）,使电流为80‑120mA，电压为0.25‑0.35kV；沉积1‑7小时，关闭直流电源，原位退火20min，自然冷却至室温25℃后，制得有铜纳米线阵列薄膜的氮化铝、石英或铜基板。本发明中所得到的铜纳米线阵列结构均一，有效的保证了纳米相的均匀分布，整个沉积工艺过程简单，成本低廉，易于规模化生产。 |
