一种碳化硅单晶位错检测方法
基本信息
| 申请号 | CN202010198747.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111366589A | 公开（公告）日 | 2020-07-03 |
| 申请公布号 | CN111366589A | 申请公布日 | 2020-07-03 |
| 分类号 | G01N21/95;G01N1/32;C30B33/12;C30B29/36 | 分类 | - |
| 发明人 | 彭燕;杨祥龙;徐现刚;王垚浩;于国建;陈秀芳 | 申请（专利权）人 | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 511400 广东省广州市南沙区珠江街南江二路7号自编2栋2层201室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种碳化硅单晶位错检测方法，利用氢等离子体或者氧等离子体的刻蚀特性，刻蚀碳化硅晶圆表面，得到碳化硅单晶中的位错缺陷，既可以选择对C面刻蚀、也可以对Si面刻蚀，不采用强碱熔融作为腐蚀液，安全且高效，另外，由于微波等离子体腔体较大，无需额外制样，可实现小片或者全片观察位错类型、密度和分布情况。 |
