一种用于减少碳化硅单晶中的碳包裹体的坩埚
基本信息
| 申请号 | CN202021257677.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212610986U | 公开（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申请公布号 | CN212610986U | 申请公布日 | 2021-02-26 |
| 分类号 | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 徐南;于国建;王垚浩;徐现刚 | 申请（专利权）人 | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 511458广东省广州市南沙区珠江街南江路7号自编2栋201室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种用于减少碳化硅单晶中的碳包裹体的坩埚，通过坩埚体中SiC多晶料的上方依次设置气流匀化件和盖板。其中，气流匀化件包括平板、设置在平板上的密封盖，密封盖设置在平板中靠近盖板的一侧；平板的外周与坩埚体的内壁相接触，平板的中心开设有通孔；密封盖包括底壁以及从底壁延伸出的侧壁，侧壁上开设有多个通孔，密封盖通过其侧壁扣合在平板的通孔上。这样，在单晶生长时，SiC多晶料分解产生的气流经过平板和密封盖上的通孔后，气流的传输从原来的以对流为主的模式变成以扩散为主的模式，由于扩散模式气流传输速度相比于对流模式慢，所以碳颗粒会沉积下来，进而可以有效减少碳化硅单晶中的碳包裹体。 |
