一种用于减少碳化硅单晶中碳包裹体的坩埚
基本信息
| 申请号 | CN202020875086.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212223148U | 公开（公告）日 | 2020-12-25 |
| 申请公布号 | CN212223148U | 申请公布日 | 2020-12-25 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 胡小波;王垚浩;徐现刚;杨祥龙;于国建;陈秀芳;徐南;刘彬 | 申请（专利权）人 | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 511458广东省广州市南沙区珠江街南江二路7号自编2栋2层201室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种用于减少碳化硅单晶中碳包裹体的坩埚，通过在坩埚体的内壁上设置环形的坩埚附件，坩埚附件的底面上开设有凹槽，同时，使坩埚附件靠近所述坩埚盖、坩埚附件的内径大于所述籽晶的直径。利用上述结构，在单晶生长初期，靠近坩埚体侧壁的地方温度最高，进而靠近坩埚体侧壁处过量的Si进入了设置在坩埚体的侧壁上的坩埚附件的凹槽中，因此，利用坩埚附件中的凹槽可以分流生长初期过量的Si，这样便减少Si组分对坩埚的侵蚀，有助于减少SiC单晶中的碳包裹体；同时，在单晶生长一段时间后，靠近坩埚体侧壁的剩余多晶料中的碳也会进入坩埚附件的凹槽中，进而可以减少SiC单晶中的碳包裹体。 |
