一种用于提高原料利用率的坩埚
基本信息
| 申请号 | CN202021257684.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212640658U | 公开（公告）日 | 2021-03-02 |
| 申请公布号 | CN212640658U | 申请公布日 | 2021-03-02 |
| 分类号 | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 徐南;于国建;王垚浩;徐现刚 | 申请（专利权）人 | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 511458广东省广州市南沙区珠江街南江二路7号自编2栋2层201室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种用于提高原料利用率的坩埚，通过将坩埚体底面的中部区域设计为向所述坩埚体的内部凹陷的结构，进而从坩埚体的外部观察，可以在坩埚体的底部形成一凹陷部，而从坩埚体的内部观察，可以在坩埚体的内部形成一凸起结构；同时，与所述凹陷部的形状相匹配的，在加热底座的上表面设置有凸起部。在晶体生长时，该凸起部可以置于凹陷部中且凸起部的外壁与所述凹陷部的内部相接触，通过对加热底座的加热，将热量传递到坩埚体内部的中心区域，从而实现对位于坩埚体中心区域的碳化硅多晶料加热，减少结晶，提高原料的利用率。 |
