一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201910374009.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111910246A | 公开（公告）日 | 2020-11-10 |
| 申请公布号 | CN111910246A | 申请公布日 | 2020-11-10 |
| 分类号 | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 杨祥龙;徐现刚;陈秀芳;胡小波;于国建 | 申请（专利权）人 | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 511458广东省广州市南沙区珠江街南江二路7号自编2栋2层201室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法，通过在籽晶托基底的中心区域设有导热层，并且导热层的热导率大于籽晶托基底的热导率。当将SiC籽晶粘结在籽晶托上进行单晶生长时，由于籽晶托中心区域的导热层的热导率比石墨籽晶托基底大，因此，对应该中心区域的籽晶表面温度相比籽晶其它区域温度低，对应生长组分浓度高、过饱和度大，当其过饱和达到临界过饱和度时，便开始成核，而籽晶表面其他区域温度相对较高，还达不到临界过饱和度，无法自发成核。这样，便可以上述中心区域形成的晶核为中心缓慢生长，建立起中心晶核优势，进而获得碳化硅单晶。本申请利用上述导热层调制籽晶表面温场，减少了成核数量，提高了SiC晶体质量。 |
