一种用于碳化硅晶片退火的装置
基本信息
| 申请号 | CN202022301952.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214032757U | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN214032757U | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | C30B33/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 陈秀芳;张木青;徐现刚;王垚浩 | 申请（专利权）人 | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 511458广东省广州市南沙区珠江街南江二路7号自编2栋2层201室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种用于碳化硅晶片退火的装置，通过在坩埚体内设有一层或多层用于放置碳化硅晶片的夹层板，并且设置各夹层板沿坩埚体的轴向方向排布，相邻的夹层板之间具有一定的间距。这样，在碳化硅晶片退火时，在各夹层板上分别摞若干片碳化硅晶片，与将所有的碳化硅晶片直接摞在一起相比，可以有效防止碳化硅晶片的晶片重量增加，导致晶片之间压得过紧，氧化后难分离的问题。同时，在各夹层板上开设通孔，可以保证空气的流通，进而可以保证各晶片之间的空气流通，有助于减少晶片黏连。因此，本申请实施例可以解决碳化硅晶片退火后晶片不好分离的问题，可以有效降低裂片、破片率，还可以在坩埚内放置更多的晶片，提高退火效率并降低生产成本。 |
