首页/ 广州南砂晶圆半导体技术有限公司/ 专利详情

无应力碳化硅籽晶固定装置及坩埚

基本信息

申请号 CN202023301675.X 申请日 -
公开（公告）号 CN214193519U 公开（公告）日 2021-09-14
申请公布号 CN214193519U 申请公布日 2021-09-14
分类号 C30B29/36;C30B23/02 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 胡小波;徐南;张木青;杨祥龙;于国建;陈秀芳;王垚浩;徐现刚 申请（专利权）人 广州南砂晶圆半导体技术有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 511400 广东省广州市南沙区珠江街南江二路7号自编2栋2层201室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供了一种无应力碳化硅籽晶固定装置及坩埚，该碳化硅籽晶固定装置包括籽晶托和籽晶盖。籽晶托设计为中部掏空的环形结构，并且沿其中轴线方向依次包括籽晶支撑部、籽晶容纳部、籽晶盖容纳部。同时，设置籽晶支撑部的内周形状与籽晶的外周形状相同，在尺寸上，籽晶支撑部的内径小于籽晶的外径，籽晶容纳部的内径大于籽晶的外径，籽晶容纳部的高度大于籽晶的厚度。利用上述结构和尺寸设计，将籽晶装入籽晶托，并将籽晶盖装入籽晶托后，仅籽晶的边缘依靠自身的重力与籽晶支撑部相接触，进而在单晶生长过程中，籽晶与籽晶固定装置之间不存在热膨胀系数不匹配导致的应力问题，可以消除籽晶受到的外加机械应力，有利于高质量SiC单晶生长。