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一种用于生长大尺寸碳化硅单晶的坩埚

基本信息

申请号 CN202021742009.7 申请日 -
公开（公告）号 CN213172678U 公开（公告）日 2021-05-11
申请公布号 CN213172678U 申请公布日 2021-05-11
分类号 C30B23/00;C30B29/36 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 杨祥龙;徐现刚;王垚浩;胡小波;陈秀芳 申请（专利权）人 广州南砂晶圆半导体技术有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 511458 广东省广州市南沙区珠江街南江二路7号自编2栋2层201室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供了一种用于生长大尺寸碳化硅单晶的坩埚，通过将坩埚体分为上坩埚体和下坩埚体两部分结构，并且，设置坩埚盖扣合在上坩埚体的顶部，上坩埚体的底部与下坩埚体的顶部连接；下坩埚体的电阻率小于上坩埚体的电阻率，上坩埚体的电阻率小于或等于坩埚盖的电阻率。在碳化硅单晶生长时，由于下坩埚体的石墨电阻率低于上坩埚体的石墨电阻率，相应的下坩埚体的坩埚壁交变电流要比上坩埚体大，加热效率高，使得与之接触的碳化硅多晶粉料温度高；上坩埚体以及坩埚盖的石墨电阻率高于下坩埚体的石墨电阻率，相应的其产生的交变电流相对小，使得碳化硅籽晶区域温度低。这样，可以从坩埚体底部到顶部方向，营造轴向温度梯度，满足晶体生长速率要求。