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一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚

基本信息

申请号 CN202020875855.X 申请日 -
公开（公告）号 CN212375418U 公开（公告）日 2021-01-19
申请公布号 CN212375418U 申请公布日 2021-01-19
分类号 C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 胡小波;王垚浩;徐现刚;于国建;杨祥龙;陈秀芳;徐南 申请（专利权）人 广州南砂晶圆半导体技术有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 511458广东省广州市南砂区珠江街南江二路7号自编2栋2层201室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供了一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，通过将坩埚盖中靠近坩埚体的下表面设置为包括第二下表面、凸出于第二下表面的第一下表面，第一下表面和第二下表面之间形成倾斜的坩埚盖台阶面；同时，将坩埚体端口处的内壁设置为倾斜内壁。这样，坩埚盖与坩埚体装配后，坩埚盖台阶面与倾斜内壁相接触，进而坩埚盖与坩埚体之间以倾斜面密封。另外，在坩埚盖的第二下表面上开设有第一固定孔，坩埚盖与坩埚体通过穿设在第一固定孔中的坩埚紧固部件紧固，第二下表面与坩埚体的端口面之间具有一定的间距，坩埚盖的第二下表面与坩埚体的端口面之间的间隙，可以使该处的坩埚紧固部件完全暴露在坩埚外部的气氛中，进而可以使坩埚的使用寿命延长。