一种去除氮化铝陶瓷电路板中活性金属焊接层的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种去除氮化铝陶瓷电路板中活性金属焊接层的方法

基本信息

申请号	CN201910270823.9	申请日	-
公开（公告）号	CN110113881B	公开（公告）日	2022-02-18
申请公布号	CN110113881B	申请公布日	2022-02-18
分类号	H05K3/06（2006.01）I	分类	其他类目不包含的电技术;
发明人	罗小阳;张德库;唐甲林;刘飞;杜山山	申请（专利权）人	昆山市柳鑫电子有限公司
代理机构	深圳市君胜知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王永文;刘文求
地址	215311江苏省苏州市昆山市巴城镇东荣路28号
法律状态	-

摘要

本发明公开一种去除氮化铝陶瓷电路板中活性金属焊接层的方法，其包括步骤：将氮化铝陶瓷电路板中预设非电路位置的铜层蚀刻掉，使氮化铝陶瓷电路板中的活性金属焊接层露出；对所述活性金属焊接层进行激光扫描处理；采用蚀刻液对经过激光扫描处理的活性金属焊接层进行蚀刻处理，去除所述氮化铝陶瓷电路板中预设非电路位置的活性金属焊接层。本发明使用激光配合蚀刻液对活性金属焊接层进行蚀刻，既有效地降低了生产成本，也大大提高了生产效率，更重要的是，所述氮化铝陶瓷电路板中的活性金属焊接层能够彻底被清除，有效避免了氮化铝陶瓷电路板在使用过程中发生短路的问题，使得氮化铝陶瓷电路板能够满足后期放电测试、线间绝缘电压测试的使用要求。