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一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法

基本信息

申请号 CN201810585676.X 申请日 -
公开（公告）号 CN108831923B 公开（公告）日 2021-08-27
申请公布号 CN108831923B 申请公布日 2021-08-27
分类号 H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423 分类 基本电气元件;
发明人 戚永乐;于洪宇 申请（专利权）人 珠海镓未来科技有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 潘登
地址 519000 广东省珠海市横琴新区环岛东路3000号横琴国际商务中心901-9024室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种增强型高电子迁移率晶体管。该晶体管包括依次层叠的衬底层、沟道层和势垒层；p型栅极，位于势垒层远离衬底层的一侧；阻挡介质层，位于p型栅极远离衬底层的一侧；阻挡介质层为绝缘材料；栅极金属层，位于阻挡介质层远离所述p型栅极的一侧；源极和漏极，源极和漏极位于势垒层远离衬底层的一侧。本发明实施例提供的增强型高电子迁移率晶体管，通过在p型栅极和栅极金属层之间插入阻挡介质层，阻挡介质层可以较大幅度地提高增强型高电子迁移率晶体管的p型栅极的击穿电压，同时提高增强型高电子迁移率晶体管的阈值电压，提高栅极电压的最大摆幅，提高增强型高电子迁移率晶体管的性能。