一种半导体制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110182585.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112993760A | 公开（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申请公布号 | CN112993760A | 申请公布日 | 2021-06-18 |
| 分类号 | H01S5/34;H01S5/026 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈伯庄 | 申请（专利权）人 | 桂林雷光科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京锦信诚泰知识产权代理有限公司 | 代理人 | 倪青华 |
| 地址 | 541004 广西壮族自治区桂林市七星区高新区信息产业园D-08地块#生产车间 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体制造方法，在单个半导体外延沉积过程中在同一平面内生长不同层厚度量子阱，包括如下步骤：进行第一次层外延，以生长基本的外延层结构，基本的外延层结构包括衬底、一个牺牲层和一个桥接层，牺牲层位于衬底和桥接层之间；通过光刻和蚀刻形成桥图案，并形成带有图案化桥头悬垂的晶片；清洗晶片；将清洗后带有图案化桥头悬垂的晶片送回外延设备进行第二次层外延；选择性去除部分高架桥结构，从而形成不同区域中具有不同厚度外延层的晶片。还提供了相应的激光器集成结构制造方法及由此制造的激光器集成结构。当该光学模式通过波束形成部分离开集成设备时，所得的远场图案更窄，有利于将设备光耦合到光纤中及设备的可靠性。 |
